如何防止充電機(jī)浪涌電壓沖擊功率因數(shù)控制電路?
大都用到直流充電機(jī)轉(zhuǎn)換器或電機(jī)變頻器的商品設(shè)備有必要對(duì)市電溝通電壓進(jìn)行整流處理,例如,大大都工業(yè)設(shè)備(電機(jī)轉(zhuǎn)速操控器、充電機(jī)、電信體系電源等)和多見(jiàn)的花費(fèi)電子商品。
傳統(tǒng)二極管整流橋是最常用的溝通電壓整流充電機(jī)充電解決方案。整流橋后面經(jīng)常會(huì)添加一個(gè)充電機(jī)功率因數(shù)操控器,以保證市電電流的波形近似于正弦波。不過(guò),二極管整流橋無(wú)法操控涌流。用兩個(gè)可控硅整流管(SCR)代替兩個(gè)二極管,新的操控型整流橋能夠約束銜接市電時(shí)的涌流。
本文提出幾個(gè)前端拓?fù)湟约耙恍┡c混合式整流橋和有用防止過(guò)壓有關(guān)的規(guī)劃竅門。試驗(yàn)成果證實(shí),4 kV至6 kV浪涌電壓耐受規(guī)劃是很簡(jiǎn)單完成的,而且本錢也不高。
涌流約束方案(ICL)和待機(jī)功耗疑問(wèn)
二極管整流橋的缺陷是無(wú)法操控浪涌電流,這是由于在插入市電插座時(shí),直流充電機(jī)充電機(jī)輸出電容會(huì)俄然充電機(jī)充電。
浪涌流也許會(huì)給體系帶來(lái)許多疑問(wèn),例如,穩(wěn)妥失效、二極管等元件損壞,一起還會(huì)在電網(wǎng)上發(fā)生過(guò)多的電流應(yīng)力。假如不對(duì)涌流加以約束,啟動(dòng)電流上升速率很快,很簡(jiǎn)單到達(dá)穩(wěn)態(tài)電流的10-20倍,因而,有必要進(jìn)步充電機(jī)線路元器件的參數(shù),使其能夠短時(shí)刻傳輸大電流。此外,充電機(jī)線路電流俄然進(jìn)步將會(huì)致使電壓驟降,電壓動(dòng)搖將會(huì)下降其它負(fù)載的輸入充電機(jī)功率。銜接在同一條充電機(jī)線路的燈具或顯示屏將會(huì)忽明忽暗,出現(xiàn)閃耀或閃屏景象。為防止這些有害景象,IEC 61000-3-3電磁規(guī)范規(guī)則了最大容許電壓動(dòng)搖和最大容許涌流。
為了到達(dá)這個(gè)規(guī)范請(qǐng)求,常用限流辦法是選用一個(gè)阻值固定的電阻器或一個(gè)熱敏電阻器 (圖1 a中的RLIM)約束電容器涌流。熱敏電阻器一般具有負(fù)溫度系數(shù)特性(NTC),因而,熱敏電阻在低溫即啟動(dòng)時(shí)阻抗大,穩(wěn)態(tài)時(shí)阻抗小。為了在穩(wěn)態(tài)時(shí)操控電阻自身耗費(fèi)的充電機(jī)功率,需求選用低阻值的電阻器。一個(gè)更好的充電機(jī)充電解決辦法是給電阻并聯(lián)一個(gè)開(kāi)關(guān),構(gòu)成一個(gè)旁路,在穩(wěn)態(tài)時(shí)接通開(kāi)關(guān),電流繞過(guò)電阻。
這種旁路開(kāi)關(guān)一般選用機(jī)械繼電器(圖1 a中的S2 )。這個(gè)充電機(jī)充電解決方案的缺陷是RLIM電阻一直銜接市電充電機(jī)線路,即便使用設(shè)備進(jìn)入待機(jī)形式,也照舊給二極管整流橋供電。由于直流充電機(jī)電容器(C)依然處于充電機(jī)充電狀況,所以存在待機(jī)充電機(jī)功率損耗。為下降充電機(jī)功率損耗,有必要給市電充電機(jī)線路串聯(lián)一個(gè)開(kāi)關(guān)(圖1 a中的S1),該開(kāi)關(guān)在設(shè)備進(jìn)入待機(jī)形式時(shí)開(kāi)路,這么就能斷開(kāi)二極管整流橋與充電機(jī)線路的銜接。
混合式整流橋是一個(gè)更加智能的涌流約束充電機(jī)充電解決方案,如圖1b所示。利用可控硅整流管(SCR) 的漸進(jìn)式軟啟動(dòng),向充電機(jī)輸出電容慢速充電機(jī)充電,然后完成對(duì)涌流的約束。在充電機(jī)線路電壓的每半個(gè)周期結(jié)束時(shí)激活可控硅整流管,這時(shí)施加到電容器的電壓被下降。經(jīng)過(guò)逐步下降可控硅整流管導(dǎo)通延時(shí),延伸可控硅整流管導(dǎo)通時(shí)刻,以此進(jìn)步直流充電機(jī)電容器上的施加的電能。
假如給充電機(jī)線路串聯(lián)一個(gè)電感器(圖1b中的L),這個(gè)充電機(jī)充電解決方案就會(huì)見(jiàn)效。在實(shí)踐使用中,這個(gè)電感器是免費(fèi)的,由于根據(jù)直流充電機(jī)橋的使用大都都有開(kāi)關(guān)式電源或電機(jī)變頻器,不管是哪一種,都需求一個(gè)高頻開(kāi)關(guān)濾波器。大都EMI濾波器都有一個(gè)共模電感器,發(fā)生雜散差分式電感。
這個(gè)充電機(jī)充電解決方案還需求一個(gè)輔佐電源,用于在直流充電機(jī)充電機(jī)輸出電容器充電機(jī)充電前給微操控器供電,保證可控硅整流管的軟啟動(dòng)操作。
圖1: 根據(jù)電阻器和繼電器的電涌限流充電機(jī)電路 (a)和根據(jù)混合整流橋的電涌限流充電機(jī)電路(b)
因而,這個(gè)約束涌流并操控待機(jī)損耗全體計(jì)劃是用兩個(gè)可控硅整流管代替一個(gè)限流電阻器和兩個(gè)繼電器。與機(jī)械繼電器技能比較,半導(dǎo)體固態(tài)繼電器成本低價(jià),并克服了機(jī)械繼電器的下列缺陷:
· 線圈致使的操控電流耗費(fèi)大
· 機(jī)械振動(dòng)致使的開(kāi)關(guān)開(kāi)路
· 機(jī)械觸點(diǎn)發(fā)生的聲學(xué)噪聲
· 在易燃環(huán)境導(dǎo)致火災(zāi)(開(kāi)關(guān)電?。?/span>
· 可靠性低(在高直流充電機(jī)電壓或電流時(shí)的繼電器開(kāi)關(guān)操作)
前端維護(hù)向浪涌電壓過(guò)渡
像二極管整流橋相同,混合式整流橋也與市電插座直接相連,如果有浪涌電壓,很可能會(huì)焚毀整流橋和PFC芯片(例如,圖1中的旁通二極管D4)。
依照IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)描繪的抗浪涌沖擊試驗(yàn)過(guò)程,有必要施加不同相角的正負(fù)浪涌電壓。
在市電峰壓時(shí)施加正浪涌電壓
我們?cè)?0°相角施加4KV正浪涌電壓,如圖2的示意圖所示 (無(wú)PFC)。為模仿最惡劣的使用環(huán)境,我們?yōu)長(zhǎng)選用一個(gè)2 ?H電感,C是一個(gè)100 ?F電容。可控硅整流管是兩個(gè)50A的TN5050H-12WY,而D1、D2和D4二極管(PFC旁通二極管)是STBR6012-Y整流管。
在 90°相角時(shí),T1和D1導(dǎo)通。浪涌進(jìn)步電流,并致使D4導(dǎo)通,由于PFC電感保持電壓。浪涌電流旁通二極管D4,防止焚毀PFC續(xù)流二極管(D3)。
圖2: 正浪涌電壓期間的過(guò)流應(yīng)力(示意圖,D4是PFC旁通二極管)
如圖2所示,在浪涌期間,T1電流峰值達(dá)到1730 A (D1和D4電流也同樣達(dá)到這個(gè)數(shù)值)。電流脈寬相當(dāng)于30 ?s長(zhǎng)的半正弦波。這個(gè)電流應(yīng)力數(shù)值遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于STBR6012-Y和 TN5050H-12WY的承受范圍。
如果施加的涌流高于可控硅整流管或二極管的電流耐受能力范圍,有兩種方法可以降低過(guò)流(兩種方法可一起使用):
· 提高差分電感的方法雖然有助于降低峰值電流,但也會(huì)使過(guò)流脈寬小幅提高。
· 在充電機(jī)線路輸入端加一個(gè)充電機(jī)電路變阻器,有助于降低充電機(jī)電路受到的峰壓沖擊,同時(shí)也會(huì)降低過(guò)流。
如圖2所示所示,浪涌電流將VDC 充電機(jī)輸出電壓提升到650 V。這個(gè)電壓反向施加到T2(因?yàn)楫?dāng)T1導(dǎo)通時(shí),二極管D1也同時(shí)導(dǎo)通) 和D2。因此,必須使用至少800 V的器件,TN5050H-12WY和STBR6012-Y是1200 V,電壓裕度很高。
如果反向電壓超出可控硅整流管或二極管的耐受范圍,用一個(gè)電容值更大的充電機(jī)輸出電容或內(nèi)部寄生效應(yīng)很低的電容串聯(lián)一個(gè)電阻器,可以更有效地控制浪涌電壓。
在市電峰壓時(shí)施加負(fù)浪涌電壓
如果施加的負(fù)浪涌電壓是90°相角,混合式整流橋的工作方式就有點(diǎn)復(fù)雜了。
圖3所示給出了這種情況的充電機(jī)電路通斷序列
· A階段:在浪涌施加前混合式整流橋正常工作,VAC 是正電壓,T1和D1導(dǎo)通,充電機(jī)線路電流(IL, 綠色虛線)從L流至N,途經(jīng)T1、D1和充電機(jī)輸出電容。
· B階段:施加負(fù)浪涌電壓,因此VAC 極性變負(fù),這意味著,負(fù)電流(紅色虛線)將從N流至L。
· C階段:在VAC 電壓變負(fù)后,充電機(jī)線路電流下降。當(dāng)IL 電流過(guò)零時(shí),D1關(guān)斷。這意味著,現(xiàn)在整個(gè)充電機(jī)線路電壓被施加到T2 (VT2 紅色箭頭)。
C階段必須謹(jǐn)慎處理。實(shí)際上,如果電壓高于可控硅整流管的擊穿電壓,器件可能被燒毀。
圖3: 90°負(fù)浪涌電壓測(cè)試混合整流橋的工作序列
基于Transil的保護(hù)機(jī)制
在可控硅整流管的陽(yáng)極和柵極之間連接一個(gè)過(guò)壓保護(hù)器件Transil(圖4),可以防止T2在C階段被燒毀。在C階段,電壓將會(huì)上升到Transil的擊穿電壓(VBR),觸發(fā) Transil二極管導(dǎo)通,向可控硅整流管柵極施加電流。然后,可控硅整流管導(dǎo)通。圖4描述了這種操作:
· A階段:在第1點(diǎn)結(jié)束,VAC 電壓變負(fù)。
· B階段:在第2點(diǎn)結(jié)束,充電機(jī)線路電流電壓過(guò)零。
· C階段:T2在第3點(diǎn)導(dǎo)通,電壓高于Transil擊穿電壓,施加到T2的電壓最大值被限制在430 V。然后D2也導(dǎo)通,施加浪涌,給充電機(jī)輸出電容充電機(jī)充電。
· D階段在第4點(diǎn)后開(kāi)始。浪涌電流通過(guò)T2、D2和D4施加到充電機(jī)輸出電容。T1和D1關(guān)斷
圖4: 根據(jù)TN5050H-12WY可控硅整流管的混合式整流橋90°1 kV負(fù)浪涌電壓測(cè)驗(yàn)
咱們?cè)跍y(cè)驗(yàn)中選用一個(gè)1,5KE400CA的Transil二極管。這個(gè)二極管可將鉗位電壓的峰值約束到一個(gè)極低的水平( 430 V),這一點(diǎn)格外主要。在C期間,D1上的負(fù)電壓絕對(duì)值是VT2與VDC之和。假如充電機(jī)輸出直流充電機(jī)電壓是325V,則D1上的負(fù)電壓最大值是755 V(在STBR6012-Y的容許范圍內(nèi))。電壓值更高的Transil或低電能Transil(1,5KE400CA是一個(gè)1500 W Transil)將會(huì)致使更高的鉗位電壓,致使更高的電壓施加到D1上。
在T2的柵極與陰極之間銜接的電阻器用于分流Dz transil 二極管充電機(jī)輸出的電流,防止dV/dt致使的雜散觸發(fā)。
根據(jù)充電機(jī)電路變阻器的維護(hù)機(jī)制
假如不想讓可控硅整流管在電壓高于430V時(shí)導(dǎo)通,或許當(dāng)可控硅整流管被Transil觸發(fā)時(shí),假如浪涌電流高于SCR ITSM 值,咱們還有一個(gè)充電機(jī)充電解決辦法,即在整流橋輸入端,將Transil二極管改為電壓抑制器,例如,金屬氧化物充電機(jī)電路變阻器(圖4中的綠色虛線)。充電機(jī)電路變阻器置于EMI濾波器以后,濾波器阻抗(格外是共式扼流圈的差分式電感)可以約束充電機(jī)電路變阻器吸收電流。
并聯(lián)多個(gè)充電機(jī)電路變阻器以非常好地約束浪涌電壓,防止在施加90°相角負(fù)浪涌電壓時(shí)T2導(dǎo)通(在施加270°相角正浪涌電壓時(shí)T1導(dǎo)通)。
浪涌電壓耐受能力取決于充電機(jī)電路變阻器的能否將浪涌電壓約束在T1/T2可控硅整流管的VDSM/VRSM 和 D1/D2二極管的VRRM以下。可控硅整流管過(guò)流不再一個(gè)難題。例如,并聯(lián)四個(gè)385 V 14 mm 金屬氧化物充電機(jī)電路變阻器(MOV),銜接一個(gè)典型的EMI濾波器,當(dāng)浪涌電壓達(dá)到 6 kV 時(shí),混合式整流橋的電壓約束在1100V,遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于TN5050H-12WY VDSM的擊穿電壓和STBR6012-Y整流管的擊穿電壓。因而,該充電機(jī)電路典型情況下可以耐受6 kV浪涌沖擊。
結(jié)論
為何挑選這個(gè)拓?fù)洌?/span>
下降充電機(jī)功率損耗、外觀尺度,一起進(jìn)步可靠性(相對(duì)于繼電器和被迫限流器)。
用新一代可控硅整流管和前端拓?fù)渫瓿傻姆€(wěn)健的充電機(jī)充電解決方案。
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