非隔離式直流穩(wěn)壓電源的共模電流問題探討
2017-7-28 10:23:16??????點擊：
圖 1是一個 LED直流穩(wěn)壓電源的示意圖，其顯示了該降壓調(diào)節(jié)器中共模直流穩(wěn)壓電源電流產(chǎn)生的主要原因。原因就是開關(guān)節(jié)點接地電容。令人驚訝的是，如此小的一點電容，仍會產(chǎn)生問題。CISPR B 類（適用于住宅設(shè)備）輻射規(guī)定允許 1 MHz 下 46 dBuV (200 uV) 信號的 50 直流穩(wěn)壓電源阻抗。這也就是說，僅允許 4 uA 的直流穩(wěn)壓電源電流。如果轉(zhuǎn)換器在 100 kHz 下對 Q2 漏極的 200 Vpk-pk 方波進行開關(guān)操作，則基準(zhǔn)直流穩(wěn)壓電源電壓約為 120 伏峰值。由于諧波隨頻率降低而成比例下降，因此 1MHz 下會有約 9 Vrms。我們可以利用它來計算允許電容，得到約 0.1pF，即 100 fF（相當(dāng)于 1 MHz 下 2 兆歐阻抗），其為這個節(jié)點完全可能的電容量。另外，還存在直流穩(wěn)壓電源電路接地其余部分的電容，其為共模直流穩(wěn)壓電源電流提供了一條返回通路，如圖 1所示 C_Stray2。
圖 1 僅 100 fF 的開關(guān)節(jié)點電容卻產(chǎn)生了 EMI 問題
在 LED 燈應(yīng)用中，沒有基底連接，只有熱和絕緣，因此共模 EMI 濾波便成為問題。這是因為直流穩(wěn)壓電源電路為高阻抗。它可以由一個與 2 兆歐容抗串聯(lián)的 9 Vrms 直流穩(wěn)壓電源電壓源表示，無法增加阻抗來減少直流穩(wěn)壓電源電流。要想降低 1MHz 下的輻射，您需要降低直流穩(wěn)壓電源電壓，或者減小寄生電容。降低直流穩(wěn)壓電源電壓共有兩種辦法：顫動調(diào)諧或者上升時間控制。顫動調(diào)諧通過改變直流穩(wěn)壓電源的工作頻率來擴展頻譜范圍。
要討論顫動調(diào)諧，首先請閱讀《通過改變直流穩(wěn)壓電源頻率來降低 EMI 性能》。上升時間控制通過降低直流穩(wěn)壓電源的開關(guān)速度來限制高頻譜，最適合解決 10MHz 以上的 EMI 問題。減小開關(guān)節(jié)點的寄生電容很容易，只需最小化蝕刻面積或者使用屏蔽材料。該節(jié)點到整流直流穩(wěn)壓電源線路的電容，不會形成共模直流穩(wěn)壓電源電流，因此您可以將導(dǎo)線埋入多層型印制線路板 (PWB)，從而減少大量不需要的電容。但是，您無法徹底消除它，因為 FET 漏極和電感仍然余留有電容。圖 2給出了一幅曲線圖，引導(dǎo)您逐步計算 EMI 頻譜。第一步是計算直流穩(wěn)壓電源電壓波形（紅色）的頻譜。通過計算漏直流穩(wěn)壓電源電壓波形的傅里葉級數(shù)，或者只需計算基本分量然后對包線取近似值（1除以調(diào)和數(shù)和基本分量），便可完成上述計算。在高頻完成進一步的調(diào)節(jié)（1/ （pi *上升時間）），如7MHz以上頻率所示。下一步，用該直流穩(wěn)壓電源電壓除以寄生電容的電抗。有趣的是，低頻輻射為扁平穩(wěn)定狀態(tài)，直到頻率穿過由上升時間設(shè)定的極點為止。最后，CISPR B 類規(guī)定也被繪制成圖。僅 0.1 pF 的寄生電容和一個高壓輸入，輻射就已接近于規(guī)定值。
EMI 問題也存在于更高的頻率，原因是輸入線路傳輸共振引起的直流穩(wěn)壓電源電路共振和輻射。共模濾波可以幫助解決這些問題，因為在 C_Stray2存在大量的電容。例如，如果電容大小為 20 pF，則其在 5MHz 下阻抗低于 2 K-Ohms。我們可以在直流穩(wěn)壓電源電路和50 Ohm 測試電阻器之間增加阻抗足夠高的共模電感，以降低測得輻射。更高頻率時，也是如此。
總之，使用高壓、非隔離式直流穩(wěn)壓電源時，共模直流穩(wěn)壓電源電流會使 EMI 輻射超出標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。在一些雙線式設(shè)計中（無基底連接），解決這個問題尤其困難，因為有許多高阻抗被包含在內(nèi)。解決這個問題的最佳方法是最小化寄生電容，并對開關(guān)頻率實施高頻脈動。頻率更高時，直流穩(wěn)壓電源電路其余部分的分散電容的阻抗變小，因此共模電感可以同時降低輻射發(fā)射和傳導(dǎo)發(fā)射。
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